著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
山口 慶太 and 大竹 朗 and 神谷 克政,酸素の化学ポテンシャルデザインに基づくMONOS型メモリーの原子レベルの設計指針,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2011-01-31,110,406,21-24,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290882952767488,