著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
Min-Cheol Lee and Min-Koo Han,A New Poly-Si TFT Employing Air-Cavities at the Edge of Gate Oxide Reducing Gate Induced Drain Leakage Current,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2000-10-20,100,356,129-134,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883025915904,