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渡部 平司 and チャンタパン アタウット and 中野 佑紀,熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2013-06-18,113,87,87-90,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883049889664,