著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
三好 実人 and 坂井 正宏 and Subramaniam Arulkumaran,100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2004-01-19,103,558,41-45,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883252091648,