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藤村 勇樹 and 平林 修 and 川澄 篤,依頼講演 レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm[2]セル2電源SRAM,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2009-04,109,2,21-26,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883644699904,