著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
Toshiharu Suzuki,Effects of Ion Beam Current Density and Substrate Temperature on Damage Generation and Activity in Si Implanted GaAs,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2004-07-01,104,153,17-21,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883703331968,