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S. Shimomura and K. Shinohara and K. Kasahara,GaAs/Al0.3Ga0.7As Resonant Tunneling Diodes with Atomically Flat Interfaces Grown on(411)A GaAs Substrates by MBE,大阪大学極限科学研究センター報告書 = Report Kyokugen,13442546,豊中 : 大阪大学極限科学研究センター,1998-03,,2,178-181,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883717421568,