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加藤 貴志 and 松山 英也,バルクCMOSにおけるシングルイベントラッチアップに対するDeep P-wellの効果,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2015-11,115,292,7-11,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290883814461824,