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細井 卓治 and 東雲 秀司 and 柏木 勇作,SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2013-06-18,113,87,77-80,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884126725376,