著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
東郷 光洋 and 最上 徹,サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2002-06-20,102,133,1-6,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884343737984,