著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
堀 元人 and 日向 祐一朗 and 谷口 克己 and 池田 良成 and 山崎 智幸,All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2018-11-01,2018,49-52・54-60,5-8,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884972252928,