著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
筒井 一生 and 濱田 拓也 and 高山 研 and 金 相佑 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 高橋 言緒 and 井手 利英 and 清水 三聡,選択成長法を用いたGaN系FinFET,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2021-03-03,2021,24-33,11-15,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884980506240,