著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
瓜生 和也 and 佐藤 拓 and 岡安 潤一,フッ素系ドライエッチングを用いて形成されたゲートフィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧変動解析,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2019-03,2019,36-44,33-37,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290884981360256,