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園田 賢一郎 and 佃 栄次 and 谷沢 元昭,窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2013-11,113,296,21-26,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290885120578048,