著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
,半導体の深い不純物に関する実験技術(技術ノート),応用物理,03698009,東京 : 応用物理学会,1979-05,48,5,p443-446,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290885232702464,