著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
多田 昭晴 and 中川 勉 and 上田 和男,Gate Assisted Turn-off Thyristor(GATT)構造によるサイリスタの高周波化について,"電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems",03854221,東京 : 電気学会,1982-07,102,7,p155-162,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290885251307392,