著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
高橋 芳浩 and 大西 一功,傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価,"電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2",09151907,東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ,1999-01,82,1,23-30,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290885284428160,