著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
前田 智彦 and 成田 克 and 安井 寛治,MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2000-10-27,100,396,21-26,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572357140606976,