著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
小林 茂樹 and 齋藤 真澄 and 内田 建,招待公演 10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証--軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2008-01-24,107,455,9-12,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572357629170816,