著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
寺山 俊明 and 関根 広志 and 筒井 一生,弗化物系共鳴トンネルダイオードとSi-MOSFETの混載集積,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2002-01-30,101,619,27-30,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572358660997248,