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小金丸 正明 and 池田 徹 and 宮崎 則幸,実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価,"電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C",13452827,東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ,2007-04,90,4,351-362,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572358682560384,