Author,Title,Journal,ISSN,Publisher,Date,Volume,Number,Page,URL,URL(DOI)
小野 修一 and 新井 学,バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2007-06,107,95,79-83,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572358873718528,