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バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性
Bibliographic Information
- Other Title
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- バナジウム イオン チュウニュウ ガード リング オ モチイタ 4H SiC PiN ダイオード ノ ギャクホウコウ トクセイ
- Reverse characteristics of 4H-SiC PiN diode with Vanadium ion implanted guard-ring
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (95), 79-83, 2007-06
東京 : 電子情報通信学会
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520572358873718528
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- NII Article ID
- 110006343869
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- NII Book ID
- AN10012954
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- ISSN
- 09135685
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- NDL BIB ID
- 8804035
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
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