著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
舘下 八州志 and 王 俊利 and 長野 香,招待講演 (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2007-01-26,106,504,5-8,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359065659264,