書誌事項
- タイトル別名
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- GaN動向 GaNパワー素子が離陸 次世代品はSiCの代替を視野
- GaN ドウコウ GaN パワー ソシ ガ リリク ジセダイヒン ワ SiC ノ ダイタイ オ シヤ
- GaN動向 GaNパワー素子が離陸 次世代品はSiCの代替を視野
- 特集 パワー半導体4.0
- トクシュウ パワー ハンドウタイ 4.0
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説明
第2部＜GaN動向＞GaNパワー素子がパワコンやオーディオ機器などに採用された。さまざまな電源に適用できる耐圧600V品が量産されている。GaN基板上に高耐圧のGaNパワー素子を作る研究開発も始まった。 SiCパワー素子に続き、GaNパワー素子も機器に採用され始めた。
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1150), 40-45, 2014-12-22
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520572359173317120
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- NII論文ID
- 40020301764
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 025983875
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP
- CiNii Articles