著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
,特集 パワー半導体４．０：第２部＜ＧａＮ動向＞ ＧａＮパワー素子が離陸 次世代品はＳｉＣの代替を視野,日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation,03851680,東京 : 日経BP,2014-12-22,,1150,40-45,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359173317120,