著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
高島 信也 and 田中 亮 and 上野 勝典 and 松山 秀昭 and 福島 悠太 and 江戸 雅晴,イオン注入を用いた縦型GaN MOSFETの研究,Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan,0009031X,東京 : 日本セラミックス協会,2019-11,54,11,730-733,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572359610697984,