著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
北島 浩司 and 関根 かをり and 和田 和千,弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデル化,"電気学会研究会資料. ECT = The papers of technical meeting on electronic circuits, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2019-09,2019,48-50・52-67,5-8,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520572360002252160,