著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
辻 崇 and 岩谷 将伸 and 大西 泰彦,1.2kV SiCトレンチゲートMOSFET,富士電機技報 = Fuji Electric journal,21871817,東京 : 富士電機技術開発本部 ; 2012-,2016-12,89,4,234-237,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520573328565488000,