水素化アモルファスシリコンにおける光誘起欠陥生成 : 陽電子消滅分光測定とその解釈
Bibliographic Information
- Other Title
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- スイソカ アモルファスシリコン ニ オケル ヒカリ ユウキ ケッカン セイセイ : ヨウデンシ ショウメツ ブンコウ ソクテイ ト ソノ カイシャク
- Light-induced defect creation in hydrogenated amorphous silicon : Positron annihilation spectroscopy measurements and interpretation on their results
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Journal
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- 固体物理 / アグネ技術センター [編]
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固体物理 / アグネ技術センター [編] 54 (4), 195-200, 2019-04
東京 : アグネ技術センター
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520573330021500800
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- NII Article ID
- 40021882015
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- NII Book ID
- AN00092629
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- ISSN
- 04544544
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- NDL BIB ID
- 029663740
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles