著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
福田 憲司,SiC MOSFETのチャネル移動度向上への挑戦,FEDジャーナル,09182772,東京 : 新機能素子研究開発協会,2001,12,3,21-27,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520573330860377728,