著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
渡邉 孝信 and 恩田 知弥 and 登坂 亮,分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング--SiO2/Si界面との違い,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2009-06-19,109,87,3-8,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853832715636992,