著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
武田 英次,応用物理学会業績賞受賞者随想 微細MOSFETの高電界効果と素子構造--信頼性物理の研究,応用物理,03698009,東京 : 応用物理学会,2010-07,79,7,642-645,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853833998400256,