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Junichi Yanagisawa and Hiromasa Nakayama and Kenji Oka,Characterization of Si-doped layer in GaAs fabricated by a focused ion beam/molecular beam epitaxy combined system,大阪大学極限科学研究センター報告書 = Report Kyokugen,13442546,豊中 : 大阪大学極限科学研究センター,1998-03,,2,271-274,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853834192152064,