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周 瑞 and 新谷 道広 and 廣本 正之 and 佐藤 高史,電荷基準モデルに基づく縦型SiCパワーMOSFETのトランジスタモデル,"電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2015-10-29,2015,146-168,107-112,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853834925150336,