著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
吉田 貞史 and 奥村 元,解説 窒化物半導体の分子線エピタキシャル成長,応用物理,03698009,東京 : 応用物理学会,1999-07,68,7,780-786,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853835180912512,