著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
樋口 久幸,p形MOSFETとnpnトランジスタを同一Nウェル内に形成したN+埋込層給電形Bi-CMOS論理回路の検討,"電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2",09151907,東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ,1991-07,74,7,p590-597,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520853835215650688,