著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
岩室 憲幸,MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題,工業材料 = Engineering materials,04522834,東京 : 日刊工業新聞社,2023,71,4,2-5,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520860078910373504,