著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
井口 創介 and 原田 茂樹 and 浦壁 隆浩 and 中嶋 純一 and 堀口 剛司 and 椋木 康滋,温度特性を考慮したGaNデバイスモデルの研究,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2023-10-26,2023,26-37・39-44,71-76,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520861074053670144,