著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
王 吉喆 and 手束 翔 and 梶原 一宏 and 瀬上 昭夫 and 松井 信正 and 黒川 不二雄,SiC-MOSFETを使用した三相整流器の最適なデッドタイムについて,電気学会研究会資料. HCA,,東京 : 電気学会,2024-05-31,2024,10-17,7-11,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520863705671908864,