著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
葉 文昌,スパッタ堆積法によるSi/Geの低温高速エピタキシャル成長と太陽電池応用,未来材料 = Expected materials for the future,13460986,東京 : エヌ・ティー・エス,2012-12,12,12,21-25,https://cir.nii.ac.jp/crid/1522825130938551808,