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矢野 浩司 and 春日 正伸 and 田中 保宜,SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性,SIデバイスシンポジウム講演論文集,13405853,[厚木] : [SIデバイス研究会],2004,,17,15-20,https://cir.nii.ac.jp/crid/1523388078300061056,