著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
伊藤 信,GaAs(00l)エピタキシャル成長の原子スケール・シミュレーション,固体物理,04544544,東京 : アグネ技術センター,2001-07,36,7,420-434,https://cir.nii.ac.jp/crid/1523388080374249216,