著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
山野 修一,世界で初めて製品化したSiCを使った新しい整流素子についてその特性面を中心に紹介する SiC(シリコンカーバイド)・ショットキー・ダイオード,電子技術,03668819,東京 : 日刊工業新聞社,2003-08,45,10,13-15,https://cir.nii.ac.jp/crid/1523388080501133312,