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Junko Nakatsuru and Hiroki Date and Supika Mashiro,論文紹介 Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si0.5Ge0.5 buffer,キヤノンアネルバ技報,18807968,[府中 (東京都) ] : キヤノンアネルバ,2006,12,,54-59,https://cir.nii.ac.jp/crid/1523951029748231424,