著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
平野 泉 and 山口 豪 and 関根 克行,次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術,東芝レビュー = Toshiba review,03720462,東京 : 東芝技術企画部,2007-07,62,7,43-47,https://cir.nii.ac.jp/crid/1524232505579183616,