著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
舟木 剛 and 池村 和哉,ノーマリーオン型GaN HEMTとノーマリーオフ型Si MOSFET+GaN HEMTカスコードデバイスのスイッチング特性評価,"電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会",,,2012-10-25,2012,59,1-6,https://cir.nii.ac.jp/crid/1570291226228087552,