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加藤 立奨 and 黒澤 昌志 and 横山 裕之 and 佐道 泰造 and 宮尾 正信,絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化,"電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス",,一般社団法人電子情報通信学会,2012-04-20,112,19,61-62,https://cir.nii.ac.jp/crid/1570572702904059008,