C-10-13 Analysis of 0.1μm-Gate InP-HEMT by Physics-Based Device Simulator Employing Monte Carlo Technique(2)

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  • C-10-13 モンテカルロ物理デバイスシミュレータによる0.1μmゲートInP-HEMTの解析(2)(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)

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  • CRID
    1570854176989804416
  • NII Article ID
    110004744754
  • NII Book ID
    AN10489017
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • CiNii Articles

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