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武藤 浩隆 and 北林 宏佳 and 仲西 幸一郎 and 和気 節夫 and 中島 盛義,MOS構造ゲートエッジ部での電界集中によるトンネル電流増加の数値解析,"電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス",,一般社団法人電子情報通信学会,1993-09-16,93,216,21-27,https://cir.nii.ac.jp/crid/1570854177379932928,